逆變電源中的三種保護(hù)電路
說到逆變電源很多人都不陌生，所謂的逆變電源，就是利用晶閘管電路把直流電轉(zhuǎn)變成交流電的電源。利用晶閘管電路把直流電轉(zhuǎn)變成交流電,這種對應(yīng)于整流的逆向過程，定義為逆變。例如:應(yīng)用晶閘管的電力機車，當(dāng)下坡時使直流電動機作為發(fā)電機制動運行，機車的位能轉(zhuǎn)變成電能，反送到交流電網(wǎng)中去。又如運轉(zhuǎn)著的直流電動機，要使它迅速制動，也可讓電動機作發(fā)電機運行，把電動機的動能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?，反送到電網(wǎng)中去。逆變電源運用于電力、通訊、工業(yè)設(shè)備、衛(wèi)星通信設(shè)備、車載、救護(hù)車、船舶、太陽能及風(fēng)能發(fā)電領(lǐng)域。對于逆變電源中的三種保護(hù)電路的知識，很多人都想要了解，接下來小編來與大家分享逆變電源中的三種保護(hù)電路！
一、防反接保護(hù)電路
1、如果逆變器沒有防反接電路，在輸入電池接反的情況下往往會造成災(zāi)難的后果，輕則燒毀保險絲，重則燒毀大部分電路。在逆變器中防反接保護(hù)電路主要有三種：反并肖特基二管組成的防反接保護(hù)電路，如圖1所示。
2、由圖1可以看出，當(dāng)電池接反時，肖特基二管D導(dǎo)通，F(xiàn)被燒毀。如果后面是推挽結(jié)構(gòu)的主變換電路，兩推挽開關(guān)MOS管的寄生二管的也相當(dāng)于和D并聯(lián)，但壓降比肖特基大得多，耐瞬間電流的沖擊能力也低于肖特基二管D，這樣就避免了大電流通過MOS管的寄生二管，從而保護(hù)了兩推挽開關(guān)MOS管。
3、這種防反接保護(hù)電路結(jié)構(gòu)簡單，不會影響效率，但保護(hù)后會燒毀保險絲F，需要重新?lián)Q才能恢復(fù)正常工作。
二、電池欠壓保護(hù)
1、為了防止電池過度放電而損壞電池，我們需要讓電池在電壓放電到電壓的時候逆變器停止工作，需要指出的一點是，電池欠壓保護(hù)太靈敏的話會在啟動沖擊負(fù)載時保護(hù)。這樣逆變器就難以起動這類負(fù)載了，尤其在電池電量不是很充足的情況下。請看下面的電池欠壓保護(hù)電路。
2、可以看出這個電路由于加入了D1、C1能夠使電池取樣電壓建立，延時保護(hù)。
?。?）大家知道，逆變器的過流短路保護(hù)電路在逆變器的中是的，如果沒有過流短路保護(hù)逆變器很可能會因為過流短路而燒毀。
?。?）下面先來分析一下負(fù)載的特，現(xiàn)實生活中的負(fù)載大多數(shù)是沖擊負(fù)載，例如熾燈泡，在冷態(tài)時的電阻要比點亮?xí)r低很多，像電腦，電視機等整流負(fù)載，由于輸入的交流電經(jīng)過整流后要用一個比較大的電容濾波，因而沖擊電流比較大。還有冰箱等電機感負(fù)載，電機從靜止到正常轉(zhuǎn)動也需要用電力產(chǎn)生比較大的轉(zhuǎn)矩因而起動電流也比較大。
（3）如果我們的逆變器只能設(shè)定一個能長期工作的額定輸出功率的話，在起動功率大于這個額定輸出功率的負(fù)載就不能起動了，這就需要按照起動功率來配備逆變器了，這顯然是一種浪費。
?。?）實際中，我們在設(shè)計過流短路保護(hù)電路時我們會設(shè)計兩個保護(hù)點，額定功率和峰值功率。一般峰值功率設(shè)定為額定功率2-3倍。時間上額定功率是長時間工作不會保護(hù)的，峰值功率一般只維持到幾秒就保護(hù)了。下面以過流短路保護(hù)電路為例講解下：
（5）R5為橋壓逆變MOS管源的壓電流取樣電阻，我們可以這么理解，壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小，所以我們用R5壓電流的大小。圖5中LM339的兩個比較器單元我們分別用來做過流和短路。
?。?）先看由IC3D及其外圍元件組成的過流保護(hù)電路，IC3D的8腳設(shè)定一個基準(zhǔn)電壓，由R33、VR4、R56、R54分壓決定其值U8=5*(R33+VR4)/(R33+VR4+R56+R54)。
當(dāng)R5上的電壓經(jīng)過R24、C17延時后過8腳電壓14腳輸出電平通過D7到IC3B的5腳。4腳兼做電池欠壓保護(hù)，正常時5腳電壓低于4腳，過流后5腳電壓于4腳，2腳輸出電平后的壓MOS關(guān)斷，當(dāng)然也可以前的MOS一起關(guān)斷。D8的作用是過流短路或電池欠壓后正反饋鎖定2腳為電平。
?。?）再看IC3C組成的短路保護(hù)電路，原理和過流保護(hù)差不多，只是延時的時間比較短，C19的容量，加上LM339的速度很快，可以實現(xiàn)短路保護(hù)在幾個微秒內(nèi)關(guān)斷，地保護(hù)了壓MOS管的。說的一點是短路保護(hù)點要根據(jù)MOS管的ID，區(qū)域和回路雜散電阻等參數(shù)設(shè)計。一般來說電流在ID以內(nèi)，動作時間在30微秒以內(nèi)是比較的。
三、IGBT的驅(qū)動和短路保護(hù)
1、IGBT作為一種的功率器件，具有電壓和電流容量等優(yōu)點，開關(guān)速度遠(yuǎn)于雙型晶體管而略低于MOS管，因而地應(yīng)用在電源領(lǐng)域里，在中大功率逆變器中也得到應(yīng)用。
2、IGBT的缺點，一是集電電流有一個較長時間的拖尾——關(guān)斷時間比較長，所以關(guān)斷時一般需要加入負(fù)的電壓加速關(guān)斷;二是抗DI/DT的能力比較差，如果像保護(hù)MOS管一樣在很大的短路電流的時候關(guān)斷MOS管可能在集電引起很的DI/DT，使UCE由于引腳和回路雜散電感的影響感應(yīng)出很的電壓而損壞。
3、No.5IGBT的缺點，一是集電電流有一個較長時間的拖尾——關(guān)斷時間比較長，所以關(guān)斷時一般需要加入負(fù)的電壓加速關(guān)斷;二是抗DI/DT的能力比較差，如果像保護(hù)MOS管一樣在很大的短路電流的時候關(guān)斷MOS管可能在集電引起很的DI/DT，使UCE由于引腳和回路雜散電感的影響感應(yīng)出很的電壓而損壞。
4、IGBT的短路保護(hù)一般是CE的飽和壓降實現(xiàn)，當(dāng)集電電流很大或短路時，IGBT退出飽和區(qū)，進(jìn)入放大區(qū)。上面說過這時我們不能直接關(guān)斷IGBT，我們可以降低柵電壓來減小集電的電流以延長保護(hù)時間的耐量和減小集電的DI/DT。
5、如果不采取降低柵電壓來減小集電的電流這個措施的話2V以下飽和壓降的IGBT的短路耐量只有5μS。3V飽和壓降的IGBT的短路耐量大約10-15μS，4-5V飽和壓降的IGBT的短路耐量大約是30μS。
6、還有一點，降柵壓的時間不能過快，一般要在2μS左右，也就是說為了使集電電流從很大的短路電流降到過載保護(hù)的1.2-1.5倍一般要在2μS左右，不能過快，在過載保護(hù)的延時之內(nèi)如果短路消失的話是可以自動恢復(fù)的，如果依然維持在過過載保護(hù)電流的話由過載保護(hù)電路關(guān)斷IGBT。
